Особенности
3D V-NAND технология для повышения надежности
Накопители PM863 оснащены памятью Samsung V-NAND, которая в отличие от планарной NAND технологии, использует вертикальную компоновку слоев. V-NAND технология обеспечивает большую емкость на той же площади, а также повышенную производительность, устойчивость к нагрузкам и энергоэффективность – т.е. именно то, необходимо для стабильной работы центра обработки данных (ЦОД).
Оптимизированная производительность для приложений со смешанной нагрузкой
Накопители PM863 отличаются исключительно высокой скоростью произвольного чтения/записи (до 99К/10К соответствено). Фирменные испытания показали, что IOPS накопителя PM863 стабильно составляет 90% и выше практически при любых условиях записи.
Сниженная стоимость владения без ущерба производительности
Накопители PM863 отличаются лучшим отношением производительность/энергоэффективности по сравнению с HDD накопителями, что позволяет снизить эксплуатационные расходы ЦОД. Накопители PM863 с технологией NAND отличаются большей надежность со средним временем наработки на отказ 2 млн. циклов.
Сохранение целостности данных
Технология "End-to-End Protection" сопровождает выходные данные по всему пути передачи, обнаруживает и исправляет расхождения сигнала в реальном времени, используя код коррекции ошибок (ECC). Защиту данных при перепадах напряжения или потерь кэш-памяти обеспечивают конденсаторы из тантала. Динамическая теплозащита регулирует температуру SSD, не допуская перегрева.
Инновационность продуктов
Являясь одним из мировых лидеров на рынке SSD-накопителей, Samsung поставляет готовое решение V-NAND, включающее разработку и интеграцию ключевых компонентов SSD: DRAM и флэш памяти, контроллеров и встроенного программного обеспечения.